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PMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115 Nexperia


pmdt290une.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details PMDT290UNE,115 Nexperia

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-666, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Qualification: AEC-Q101.

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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : Nexperia PMDT290UNE-1319334.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : NEXPERIA pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Hersteller : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
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PMDT290UNE,115 Hersteller : NEXPERIA PMDT290UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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PMDT290UNE,115 Hersteller : NEXPERIA PMDT290UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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