PMEG120G20ELRX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: DIODE SIGE 120V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V
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Technische Details PMEG120G20ELRX Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 120V 2A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 11 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V.
Weitere Produktangebote PMEG120G20ELRX nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMEG120G20ELRX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 120V 2A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V |
auf Bestellung 11557 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PMEG120G20ELRX | Hersteller : Nexperia |
Rectifiers PMEG120G20ELR/SOD123W/SOD2 |
auf Bestellung 13598 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMEG120G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG120G20ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, Si-Germanium (SiGe), 120V, 2A, einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pins, 840mV tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 840mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG120G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG120G20ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, Si-Germanium (SiGe), 120V, 2A, einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pins, 840mV tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 840mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG120G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 120V; 2A; 11ns; SOD123W; Ufmax: 0.77V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 120V Load current: 2A Reverse recovery time: 11ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD123W Max. forward voltage: 0.77V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMEG120G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 120V; 2A; 11ns; SOD123W; Ufmax: 0.77V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 120V Load current: 2A Reverse recovery time: 11ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD123W Max. forward voltage: 0.77V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape |
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