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Technische Details PMGD175XNEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 390mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 390mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 260mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 260mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
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PMGD175XNEX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMGD175XNE/SOT363/SC-88 |
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PMGD175XNEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PMGD175XNEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PMGD175XNEX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD175XNEX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 4A Case: SC88; SOT363; TSSOP6 On-state resistance: 411mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMGD175XNEX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 4A Case: SC88; SOT363; TSSOP6 On-state resistance: 411mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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