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PMGD780SN,115 Nexperia

Name: PMGD780SN,115
Brand: Nexperia
SKU: 903241-5
Price: 0.1 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R

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Technische Details PMGD780SN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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PMGD780SN,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R

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PMGD780SN,115

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PMGD780SN,115

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R

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PMGD780SN,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs

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PMGD780SN,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R

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PMGD780SN,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R

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327+	0.48 EUR
406+	0.38 EUR
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607+	0.23 EUR
708+	0.19 EUR
854+	0.15 EUR
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PMGD780SN,115

Hersteller : Nexperia

MOSFET PMGD780SN/SOT363/SC-88

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62+	0.85 EUR
94+	0.56 EUR
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1000+	0.23 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR

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PMGD780SN,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs

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28+	0.94 EUR
40+	0.66 EUR
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PMGD780SN,115

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

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PMGD780SN,115

Hersteller : NEXPERIA

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PMGD780SN,115

Hersteller : NEXPERIA

PMGD780SN.115 Multi channel transistors

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343+	0.21 EUR
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PMGD780SN,115

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