PMH550UNEH

PMH550UNEH Nexperia USA Inc.


PMH550UNE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 770mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
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Technische Details PMH550UNEH Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMH550UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.55 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 770mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.

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PMH550UNEH PMH550UNEH Hersteller : Nexperia PMH550UNE-1545571.pdf MOSFET PMH550UNE/SOT8001/DFN0606-3
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PMH550UNEH PMH550UNEH Hersteller : Nexperia USA Inc. PMH550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 770mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
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5000+ 0.15 EUR
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PMH550UNEH PMH550UNEH Hersteller : NEXPERIA 2786518.pdf Description: NEXPERIA - PMH550UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.55 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
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PMH550UNEH PMH550UNEH Hersteller : NEXPERIA 2786518.pdf Description: NEXPERIA - PMH550UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.55 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
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PMH550UNEH PMH550UNEH Hersteller : Nexperia pmh550une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.77A 3-Pin DFN T/R
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PMH550UNEH Hersteller : NEXPERIA pmh550une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.77A 3-Pin DFN T/R
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