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Technische Details PMN230ENEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 475, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 475, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.176, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
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PMN230ENEX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 475 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 475 Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.176 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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PMN230ENEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PMN230ENE - 60 V, N-CHANNEL TREN |
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