PMN25ENEX

PMN25ENEX Nexperia USA Inc.


PMN25ENE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
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Technische Details PMN25ENEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMN25ENEX PMN25ENEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMN25ENE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
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PMN25ENEX PMN25ENEX Hersteller : Nexperia PMN25ENE-1370723.pdf MOSFET PMN25ENE/SOT457/SC-74
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100+ 0.68 EUR
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1000+ 0.43 EUR
3000+ 0.38 EUR
6000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49
PMN25ENEX PMN25ENEX Hersteller : NEXPERIA 2621316.pdf Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMN25ENEX PMN25ENEX Hersteller : NEXPERIA 2621316.pdf Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PMN25ENEX Hersteller : NEXPERIA PMN25ENE.pdf PMN25ENEX SMD N channel transistors
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