PMN30UNEX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 24+ | 1.09 EUR |
| 34+ | 0.78 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details PMN30UNEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 530mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Weitere Produktangebote PMN30UNEX nach Preis ab 0.16 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PMN30UNEX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMN30UNE/SOT457/SC-74 |
auf Bestellung 2813 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMN30UNEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMN30UNEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMN30UNEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V |
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