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Technische Details PMN30XPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
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Verfügbarkeit |
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PMN30XPX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R |
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PMN30XPX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V |
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PMN30XPX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V |
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PMN30XPX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMN30XP/SOT457/SC-74 |
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PMN30XPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
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PMN30XPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 5338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMN30XPX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMN30XPX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -21A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -21A Power dissipation: 0.55W Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMN30XPX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -21A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -21A Power dissipation: 0.55W Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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