PMN40ENAX

PMN40ENAX Nexperia USA Inc.


PMN40ENA.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details PMN40ENAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

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PMN40ENAX PMN40ENAX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMN40ENA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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25+1.04 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
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PMN40ENAX PMN40ENAX Hersteller : Nexperia PMN40ENA-1588497.pdf MOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74
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43+1.22 EUR
50+ 1.05 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 43
PMN40ENAX PMN40ENAX Hersteller : NEXPERIA 2805077.pdf Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMN40ENAX PMN40ENAX Hersteller : NEXPERIA 2805077.pdf Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
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PMN40ENAX Hersteller : NEXPERIA pmn40ena.pdf 60 V, N-channel Trench MOSFET
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PMN40ENAX PMN40ENAX Hersteller : NEXPERIA PMN40ENA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 17A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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PMN40ENAX PMN40ENAX Hersteller : NEXPERIA PMN40ENA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 17A
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
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