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PMPB16EPX

PMPB16EPX Nexperia


pmpb16ep.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Technische Details PMPB16EPX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

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PMPB16EPX PMPB16EPX Hersteller : Nexperia pmpb16ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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PMPB16EPX PMPB16EPX Hersteller : Nexperia PMPB16EP-1664514.pdf MOSFET PMPB16EP/SOT1220/SOT1220
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PMPB16EPX PMPB16EPX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0008987461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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PMPB16EPX PMPB16EPX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0008987461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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PMPB16EPX PMPB16EPX Hersteller : NEXPERIA pmpb16ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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PMPB16EPX Hersteller : NEXPERIA PMPB16EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -30A
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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PMPB16EPX PMPB16EPX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMPB16EP.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418 pF @ 15 V
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PMPB16EPX Hersteller : NEXPERIA PMPB16EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -30A
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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