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Technische Details PMPB23XNE,115 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.4A; Idm: 24A, Case: DFN2020MD-6; SOT1220, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.4A, On-state resistance: 34mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 17nC, Technology: Trench, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 24A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote PMPB23XNE,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMPB23XNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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| PMPB23XNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.4A; Idm: 24A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.4A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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PMPB23XNE,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMPB23XNE/SOT1220/SOT1220 |
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| PMPB23XNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.4A; Idm: 24A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.4A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Mounting: SMD |
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