Produkte > NEXPERIA USA INC. > PMT280ENEAX
PMT280ENEAX

PMT280ENEAX Nexperia USA Inc.


PMT280ENEA.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.37 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PMT280ENEAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 770mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote PMT280ENEAX nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.1 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PMT280ENEAX PMT280ENEAX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMT280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
32+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 27
PMT280ENEAX PMT280ENEAX Hersteller : Nexperia PMT280ENEA-1539876.pdf MOSFET PMT280ENEA/SOT223/SC-73
auf Bestellung 57969 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+1.1 EUR
57+ 0.93 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.4 EUR
2000+ 0.38 EUR
5000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 48
PMT280ENEAX PMT280ENEAX Hersteller : NEXPERIA 2632132.pdf Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 770mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMT280ENEAX PMT280ENEAX Hersteller : NEXPERIA 2632132.pdf Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 770mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMT280ENEAX Hersteller : NEXPERIA PMT280ENEA.pdf PMT280ENEAX SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
PMT280ENEAX PMT280ENEAX Hersteller : NEXPERIA 269065001458721pmt280enea.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar