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Technische Details PMV15UNEAR Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 610mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Weitere Produktangebote PMV15UNEAR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMV15UNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
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PMV15UNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
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| PMV15UNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| PMV15UNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
PMV15UNEAR SMD N channel transistors |
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PMV15UNEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V SOT23 |
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