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PMV213SN,215

PMV213SN,215 Nexperia

pmv213sn.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMV213SN,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : NEXPERIA PMV213SN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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210+ 0.34 EUR
275+ 0.26 EUR
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : NEXPERIA PMV213SN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV213SN.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.21 EUR
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV213SN.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia PMV213SN-2938708.pdf MOSFET PMV213SN/SOT23/TO-236AB
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44+1.21 EUR
51+ 1.03 EUR
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500+ 0.59 EUR
1000+ 0.46 EUR
3000+ 0.37 EUR
9000+ 0.36 EUR
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : NEXPERIA pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : NEXPERIA 3822556.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45984 Stücke:
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : NEXPERIA 3822556.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : NEXPERIA pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV213SN,215 Hersteller : NXP PMV213SN.pdf N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1855 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Hersteller : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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