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Technische Details PMV27UPER Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 490, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMV27UPER | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV27UPER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V |
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PMV27UPER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V |
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PMV27UPER | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB |
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PMV27UPER | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 490 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 490 Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PMV27UPER | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 490 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PMV27UPER | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV27UPER | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -18A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMV27UPER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV27UPER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV27UPER | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -18A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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