PMV30XPEAR Nexperia
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Technische Details PMV30XPEAR Nexperia
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote PMV30XPEAR nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PMV30XPEAR | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV30XPEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV30XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A; 0.98W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 0.98W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMV30XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A; 0.98W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 0.98W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 2007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV30XPEAR | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMV30XPEA/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 219536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV30XPEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV30XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV30XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV30XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV30XPEAR | Hersteller : NXP |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV30XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMV30XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |