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Technische Details PMV32UP,215 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote PMV32UP,215 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV32UP,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A On-state resistance: 73mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 930mW Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMV32UP,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A On-state resistance: 73mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 930mW Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMV32UP/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 230821 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V |
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PMV32UP,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
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PMV32UP,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
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PMV32UP,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV32UP,215 | Hersteller : NXP |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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PMV32UP,215 Produktcode: 188518 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV32UP,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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