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PMV45EN2R

PMV45EN2.pdf
Produktcode: 187508
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV45EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
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6000+ 0.27 EUR
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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549+ 0.27 EUR
564+ 0.26 EUR
604+ 0.23 EUR
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia PMV45EN2-1319180.pdf MOSFET PMV45EN2/SOT23/TO-236AB
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV45EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : NEXPERIA PHGLS29918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 510mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7864 Stücke:
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PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : NEXPERIA PHGLS29918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 510mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PMV45EN2R Hersteller : NXP PMV45EN2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
PMV45EN2R PMV45EN2R Hersteller : NEXPERIA pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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IR928-6C-F
Produktcode: 182055		 201407052138247488-365437.pdf
IR928-6C-F
Hersteller: Everlight
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: ІЧ-світлодіод 940нм
Größe: 4,5x4,6x2,5 mm
Linse: прозора
Spannungsfall, V: 1,2...1,5 V
Winckel: 40°
THT
940 нм
auf Bestellung 1485 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)