PMZ1200UPEYL Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 33+ | 0.81 EUR |
| 46+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 2000+ | 0.15 EUR |
| 5000+ | 0.14 EUR |
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Technische Details PMZ1200UPEYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PMZ1200UPEYL nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMZ1200UPEYL | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3 |
auf Bestellung 6789 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMZ1200UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZ1200UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 310 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMZ1200UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA On-state resistance: 2.4Ω Gate charge: 1.2nC Case: DFN1006-3; SOT883 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: -1.7A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: P-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMZ1200UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMZ1200UPEYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V |
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| PMZ1200UPEYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA On-state resistance: 2.4Ω Gate charge: 1.2nC Case: DFN1006-3; SOT883 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: -1.7A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: P-MOSFET |
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