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PN2907ATA

PN2907ATA onsemi


pzt2907a-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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Technische Details PN2907ATA onsemi

Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: -, Verlustleistung Pd: 625, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: TO-226AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 800, Übergangsfrequenz: 200, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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42+ 0.63 EUR
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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : onsemi / Fairchild PN2907_D-2319877.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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82+ 0.63 EUR
200+ 0.26 EUR
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2000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57
PN2907ATA Hersteller : Fairchild pzt2907a-d.pdf
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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : ON Semiconductor pzt2907a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : ONSEMI 2287809.pdf Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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PN2907ATA PN2907ATA Hersteller : ONSEMI 2287809.pdf Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung Pd: 625
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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