PN2907ATF ON Semiconductor
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Technische Details PN2907ATF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PN2907ATF nach Preis ab 0.048 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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PN2907ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
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PN2907ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
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PN2907ATF | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PN2907ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
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PN2907ATF | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 26071 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PN2907ATF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
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PN2907ATF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PN2907ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PN2907ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
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