PSMN012-60MSX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details PSMN012-60MSX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PSMN012-60MSX nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PSMN012-60MSX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN012-60MS/SOT1210/mLFPAK |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PSMN012-60MSX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PSMN012-60MSX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN012-60MSX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN012-60MSX | Hersteller : NEXPERIA |
N-channel 60 V standard level MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN012-60MSX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37A; Idm: 211A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 37A Pulsed drain current: 211A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN012-60MSX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37A; Idm: 211A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 37A Pulsed drain current: 211A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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