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Technische Details PSMN013-60YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN013-60YLX nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.08 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : Nexperia | MOSFET PSMN013-60YL/SOT669/LFPAK |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0108 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 95W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN013-60YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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