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PSMN015-100P,127

PSMN015-100P,127 Nexperia

4375558193033243psmn015-100p.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details PSMN015-100P,127 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN015-100P,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : Nexperia 4375558193033243psmn015-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN015-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN015-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: SOT78; TO220AB
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On-state resistance: 40.5mΩ
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PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : Nexperia PSMN015_100P-1526051.pdf MOSFET PSMN015-100P/SOT78/SIL3P
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5000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN015-100P.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
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100+ 4.27 EUR
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1000+ 3.07 EUR
2000+ 2.91 EUR
5000+ 2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : Nexperia 4375558193033243psmn015-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : NEXPERIA 2341454.pdf Description: NEXPERIA - PSMN015-100P,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 365 Stücke:
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PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : NEXPERIA 4375558193033243psmn015-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Hersteller : Nexperia 4375558193033243psmn015-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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