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Technische Details PSMN018-100ESFQ Nexperia
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 111W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote PSMN018-100ESFQ nach Preis ab 0.35 EUR bis 0.96 EUR
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PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
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PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
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PSMN018-100ESFQ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
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| PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V |
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PSMN018-100ESFQ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN018-100ESF SOT226/I2PAK |
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