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PSMN019-100YLX

PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc.


PSMN019-100YL.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
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Technische Details PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V.

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PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Hersteller : Nexperia 4335412053332142psmn019-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Hersteller : Nexperia PSMN019_100YL-2938688.pdf MOSFET PSMN019-100YL/SOT669/LFPAK
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PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN019-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
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PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Hersteller : NEXPERIA 4335412053332142psmn019-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN019-100YLX Hersteller : NEXPERIA PSMN019-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 40A; Idm: 226A; 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 52.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 724nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 226A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN019-100YLX Hersteller : NEXPERIA PSMN019-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 40A; Idm: 226A; 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 52.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 724nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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