auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 25+ | 2.13 EUR |
| 29+ | 1.84 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| 1500+ | 0.78 EUR |
| 3000+ | 0.66 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN025-80YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN025-80YLX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN025-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
PSMN025-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 95 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
PSMN025-80YLX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
PSMN025-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| PSMN025-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26.5A; Idm: 150A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 67.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
PSMN025-80YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
PSMN025-80YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| PSMN025-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26.5A; Idm: 150A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 67.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
Produkt ist nicht verfügbar |