PSMN027-100BS,118 Nexperia USA Inc.
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Technische Details PSMN027-100BS,118 Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 37A, Pulsed drain current: 148A, Power dissipation: 103W, Case: D2PAK; SOT404, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 59mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PSMN027-100BS,118 nach Preis ab 2.52 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN027-100BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK |
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PSMN027-100BS,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET |
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| PSMN027-100BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 103W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN027-100BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 103W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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