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PSMN040-100MSEX

PSMN040-100MSEX Nexperia

3013483244337444psmn040-100mse.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details PSMN040-100MSEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN040-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Hersteller : Nexperia 3013483244337444psmn040-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Hersteller : Nexperia 3013483244337444psmn040-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Mindestbestellmenge: 113
PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Hersteller : Nexperia PSMN040_100MSE-2938878.pdf MOSFET PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN040-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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PSMN040-100MSEX PSMN040-100MSEX Hersteller : NEXPERIA 3013483244337444psmn040-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN040-100MSEX Hersteller : NEXPERIA PSMN040-100MSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN040-100MSEX Hersteller : NEXPERIA PSMN040-100MSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
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