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Technische Details PSMN041-80YLX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote PSMN041-80YLX nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.85 EUR
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PSMN041-80YLX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN041-80YL/SOT669/LFPAK |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN041-80YLX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| PSMN041-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN041-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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