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PSMN045-80YS,115

PSMN045-80YS,115 Nexperia

4381125943241247psmn045-80ys.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN045-80YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN045-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN045-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia PSMN045_80YS-2938715.pdf MOSFET PSMN045-80YS/SOT669/LFPAK
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1000+ 0.7 EUR
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3000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN045-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN045-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 24A; Idm: 86A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN045-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN045-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 24A; Idm: 86A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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