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PSMN059-150Y,115

PSMN059-150Y,115 Nexperia


3007325018821207psmn059-150y.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN059-150Y,115 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V.

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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : Nexperia PSMN059_150Y-2939072.pdf MOSFET PSMN059-150Y/SOT669/LFPAK
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN059-150Y,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN059-150Y.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; Idm: 129A; 113W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 129A
Power dissipation: 113W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 101mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Hersteller : NEXPERIA 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN059-150Y,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN059-150Y.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; Idm: 129A; 113W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 129A
Power dissipation: 113W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 101mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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