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PSMN075-100MSEX

PSMN075-100MSEX Nexperia

4381412479822469psmn075-100mse.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details PSMN075-100MSEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN075-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN075-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia PSMN075_100MSE-2938826.pdf MOSFET PSMN075-100MSE/SOT1210/mLFPAK
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33+ 1.62 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.85 EUR
1500+ 0.74 EUR
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : NEXPERIA 4381412479822469psmn075-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia 4381412479822469psmn075-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEX Hersteller : NEXPERIA PSMN075-100MSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 74A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 74A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
On-state resistance: 57mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN075-100MSEX Hersteller : NEXPERIA PSMN075-100MSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 74A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 74A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
On-state resistance: 57mΩ
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