PSMN1R0-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 8.4 EUR |
| 10+ | 7.05 EUR |
| 100+ | 5.7 EUR |
| 500+ | 5.07 EUR |
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Technische Details PSMN1R0-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN1R0-40SSHJ nach Preis ab 4.84 EUR bis 9.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PSMN1R0-40SSHJ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN1R0-40SSH/SOT1235/LFPAK88 |
auf Bestellung 2088 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PSMN1R0-40SSHJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R0-40SSHJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R0-40SSHJ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 325A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN1R0-40SSHJ | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN1R0-40SSHJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V |
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