PSMN1R0-40YLDX

PSMN1R0-40YLDX

Hersteller: NEXPERIA
Material: PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors
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Technische Details PSMN1R0-40YLDX

Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK, Package / Case: SC-100, SOT-669, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 198W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V.

Preis PSMN1R0-40YLDX ab 0 EUR bis 0 EUR

PSMN1R0-40YLDX
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Hersteller: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Hersteller: NEXPERIA
Material: PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Hersteller: Nexperia
MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
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auf Bestellung 9543 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
Package / Case: SC-100, SOT-669
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
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auf Bestellung 12280 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
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PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
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