PSMN1R0-40YLDX
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Technische Details PSMN1R0-40YLDX
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK, Package / Case: SC-100, SOT-669, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 198W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V.
Preis PSMN1R0-40YLDX ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: NEXPERIA Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R 
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PSMN1R0-40YLDX Hersteller: NEXPERIA Material: PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors
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PSMN1R0-40YLDX Hersteller: Nexperia Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN1R0-40YLDX Hersteller: Nexperia Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Hersteller: Nexperia MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
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auf Bestellung 9543 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Nexperia USA Inc. Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK Package / Case: SC-100, SOT-669 Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845pF @ 20V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
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auf Bestellung 12280 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Nexperia USA Inc. Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
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Hersteller: Nexperia USA Inc. Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
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