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PSMN1R5-30YLC,115

PSMN1R5-30YLC,115 Nexperia USA Inc.


PSMN1R5-30YLC.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V
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Technische Details PSMN1R5-30YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 179W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.51V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-30YLC,115 Hersteller : Nexperia PSMN1R5_30YLC-1479841.pdf MOSFET PSMN1R5-30YLC/SOT669/LFPAK
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PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-30YLC,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V
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PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA 4381243875353709psmn1r5-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PSMN1R5-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN1R5-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 1016A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.65mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 179W
Drain current: 200A
Gate charge: 65nC
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 1016A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R5-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN1R5-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 1016A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.65mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 179W
Drain current: 200A
Gate charge: 65nC
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 1016A
Polarisation: unipolar
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