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PSMN1R6-30BL,118

PSMN1R6-30BL,118 Nexperia


PSMN1R6_30BL-2938919.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET Std N-chanMOSFET
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Technische Details PSMN1R6-30BL,118 Nexperia

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 1268A, Power dissipation: 306W, Case: D2PAK; SOT404, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.21mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 212nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30BL,118 Hersteller : NEXPERIA 3008086836491245psmn1r6-30bl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN1R6-30BL,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN1R6-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1268A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30BL,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30BL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30BL,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30BL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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PSMN1R6-30BL,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN1R6-30BL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1268A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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