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PSMN2R0-60PS,127

PSMN2R0-60PS,127 Nexperia

psmn2r0-60ps.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details PSMN2R0-60PS,127 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia psmn2r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia psmn2r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60PS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
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500+ 5.96 EUR
1000+ 5.1 EUR
2000+ 4.8 EUR
5000+ 4.61 EUR
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia PSMN2R0_60PS-2939036.pdf MOSFET PSMN2R0-60PS/SOT78/SIL3P
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0001056747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : NEXPERIA psmn2r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia psmn2r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN2R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 338W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PS,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN2R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 338W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
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