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Technische Details PSMN2R5-60PLQ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 349W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN2R5-60PLQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN2R5-60PLQ | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 349W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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PSMN2R5-60PLQ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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PSMN2R5-60PLQ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Kind of package: tube On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar Gate charge: 223nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1002A Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN2R5-60PLQ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V |
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PSMN2R5-60PLQ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Kind of package: tube On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar Gate charge: 223nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1002A Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A |
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