PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1500+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.83 EUR |
| 7500+ | 0.79 EUR |
| 10500+ | 0.73 EUR |
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Technische Details PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PSMN3R0-30MLC,115 nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN3R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V |
auf Bestellung 12962 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 88W; LFPAK33,SOT1210 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A Power dissipation: 88W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 88W; LFPAK33,SOT1210 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A Power dissipation: 88W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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