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PSMN3R0-60PS,127

PSMN3R0-60PS,127 Nexperia

4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details PSMN3R0-60PS,127 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 306W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN3R0-60PS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 306W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PSMN3R0-60PS,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf PSMN3R0-60PS.127 THT N channel transistors
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15+4.96 EUR
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21+ 3.43 EUR
250+ 3.4 EUR
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Hersteller : NEXPERIA 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Hersteller : Nexperia PSMN3R0_60PS-2938906.pdf MOSFET PSMN3R0-60PS/SOT78/SIL3P
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