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PSMN3R8-100BS,118

PSMN3R8-100BS,118 Nexperia


3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details PSMN3R8-100BS,118 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V.

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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : Nexperia PSMN3R8_100BS-2939062.pdf MOSFET PSMN3R8-100BS/SOT404/D2PAK
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R8-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.00328 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : NEXPERIA 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : Nexperia 3013469339707157psmn3r8-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN3R8-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN3R8-100BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
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