PSMN3R9-100YSFX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1500+ | 3.31 EUR |
| 3000+ | 3.15 EUR |
| 7500+ | 3.03 EUR |
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Technische Details PSMN3R9-100YSFX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0033 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 245W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN3R9-100YSFX nach Preis ab 3.07 EUR bis 6.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN3R9-100YSF/SOT1023/4 LEADS |
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PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 50 V |
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PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0033 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: LFPAK56E Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R9-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0033 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: LFPAK56E Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN3R9-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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