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Technische Details PSMN4R0-40YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PSMN4R0-40YS,115 nach Preis ab 0.73 EUR bis 3.07 EUR
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN4R0-40YS/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 64400 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V |
auf Bestellung 66178 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 33271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 33271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN4R0-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Pulsed drain current: 472A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |