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PSMN4R2-30MLDX

PSMN4R2-30MLDX Nexperia USA Inc.


PSMN4R2-30MLD.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
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Technische Details PSMN4R2-30MLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V.

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PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Hersteller : Nexperia PSMN4R2_30MLD-2939107.pdf MOSFET PSMN4R2-30MLD/SOT1210/mLFPAK
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PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R2-30MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1795 pF @ 15 V
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PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 5Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
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PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
auf Bestellung 63 Stücke:
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PSMN4R2-30MLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 366A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Hersteller : NEXPERIA 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Hersteller : Nexperia 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX Hersteller : Nexperia 580522264533196psmn4r2-30mld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN4R2-30MLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 366A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.5mΩ
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