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PSMN4R3-40MSHX

PSMN4R3-40MSHX Nexperia USA Inc.


PSMN4R3-40MSH.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2338 pF @ 25 V
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Technische Details PSMN4R3-40MSHX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R3-40MSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSHX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R3-40MSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2338 pF @ 25 V
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PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSHX Hersteller : Nexperia PSMN4R3-40MSH-1853420.pdf MOSFET PSMN4R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
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15+ 3.61 EUR
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500+ 2.32 EUR
1000+ 1.83 EUR
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3000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 13
PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSHX Hersteller : NEXPERIA 3029691.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R3-40MSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PSMN4R3-40MSHX Hersteller : NEXPERIA psmn4r3-40msh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN4R3-40MSHX Hersteller : NEXPERIA PSMN4R3-40MSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSHX Hersteller : Nexperia psmn4r3-40msh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSHX Hersteller : Nexperia psmn4r3-40msh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN4R3-40MSHX Hersteller : NEXPERIA PSMN4R3-40MSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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