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Technische Details PSMN5R6-100PS,127 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN5R6-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 306W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN5R6-100PS,127 nach Preis ab 4.07 EUR bis 8.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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PSMN5R6-100PS,127 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V |
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PSMN5R6-100PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R6-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 306W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PSMN5R6-100PS,127 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R6-100PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 539A Power dissipation: 306W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 141nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN5R6-100PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 539A Power dissipation: 306W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 141nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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