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PSMN6R5-80PS,127

PSMN6R5-80PS,127 Nexperia

PSMN6R5_80PS-2939065.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P
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Technische Details PSMN6R5-80PS,127 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V.

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PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN6R5-80PS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
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PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 Hersteller : NEXPERIA 4381138840571766psmn6r5-80ps.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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