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Technische Details PSMN6R7-40MSDX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 65W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 22nC, Technology: NextPowerS3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 282A, Mounting: SMD, Case: LFPAK33; SOT1210, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 50A, On-state resistance: 13mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PSMN6R7-40MSDX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 282A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 13mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK33 |
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| PSMN6R7-40MSDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 282A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 13mΩ |
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